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目录更新包括 TOLL 碳化硅 MOSFET，以及用于 PFC 和逆变器的正温度系数快恢复二极管，便于评估可靠供应商。

750 V 快恢复系列，8–75 A，可平替 650 V。低 VF、高速 trr、低噪声，用于服务器、基站、光伏逆变与电机驱动。

超薄 TO-263M 封装的低 trr 快恢复二极管，面向高频开关电源，缩短反向恢复时间、降低开关损耗。

SiC MOSFET 与高结温肖特基用于大功率充电机：耐高温、低损耗，适配换电柜、叉车与电动搬运等恒流/恒压充电。

近零温度系数快恢复，650 V / 1200 V，30–100 A。高低温下 VF 与 Irrm 变化小，适合多管并联。

SiC MOSFET 用于新一代 LED 驱动电源，降低开关损耗并提高功率密度。

第三代 SiC MOSFET，封装覆盖 TO-252、TO-247、TO-220、TO-263 与 TO-220F。更高阻断电压与开关频率，更低损耗。

屏蔽栅 SGT MOSFET，PDFN 等高密度封装。低 Rsp 与低 Qg，用于快充、电机驱动与电源管理。

1700 V 快恢复二极管，高结温、大电流，TO-247。用于充电桩、工业电源、电机与逆变器。

肖特基、快恢复、整流、MOSFET 与 SiC 全系更新，便于按电压和封装快速选型。