手机快充、电动汽车、无刷电机和移动储能拉高了中低压 MOSFET 的需求。SGT MOSFET 是这一档的代表，用在快充、电机驱动和电源管理里。
江苏海矽美 SGT MOS 基于屏蔽栅沟槽工艺，通过电场和沟槽结构把特征导通电阻 Rsp（Rds(on) × 芯片面积）降下来，再配 PDFN、TO-263M 这类高功率密度封装，同样体积输出更高功率。屏蔽栅也压低了 Qg 和 Qrr，关断损耗和电流尖峰更小，系统更稳。输入电容比例经过调整后，栅极更不容易被米勒串扰拉穿，直通风险更低。
产品特点
- 低 Rsp，功率密度更高
- 低 FOM（Rds(on) × Qg），开关损耗更小
- 低 Qrr，关断损耗更小
- 低 Irrm，关断电压应力更小
- 可承受更高的雪崩和浪涌
应用领域
服务器典型拓扑
选型推荐
下面是目前推出的部分 PDFN5060-8L 型号。RDS(on) 为 VGS = 10 V 条件。
| Part | Process | Package | Polarity | Vdss (V) | ID (A) | VGS (V) | VGS(th) min | VGS(th) typ | VGS(th) max | RDS(on) typ (mΩ) | RDS(on) max (mΩ) | Qg typ (nC) | Ciss typ (pF) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HXMS30N15LNA | SGT | PDFN5060-8L | N | 30 | 190 | ±20 | 1 | 1.6 | 2.2 | 1.15 | 1.45 | 44.3 | 2930 |
| HXMS40N55LNA | SGT | PDFN5060-8L | N | 40 | 60 | ±20 | 1 | 1.55 | 2.5 | 4.5 | 5.5 | 17 | 948 |
| HXMS40N12LNA | SGT | PDFN5060-8L | N | 40 | 260 | ±20 | 1.1 | 1.7 | 2.4 | 1.12 | 1.25 | 125 | 6200 |
| HXMS40N11HNA | SGT | PDFN5060-8L | N | 40 | 260 | ±20 | 2 | 2.9 | 3.5 | 0.86 | 1.05 | 105 | 5200 |
| HXMS100N79LNA | SGT | PDFN5060-8L | N | 100 | 75 | ±20 | 1.5 | 2 | 2.5 | 6.5 | 7.9 | 41 | 2200 |
| HXMS100N50LNA | SGT | PDFN5060-8L | N | 100 | 130 | ±20 | 1.5 | 2 | 2.5 | 4.5 | 5 | 60 | 3623 |
除上述产品外，江苏海矽美产品线还包含碳化硅二极管、MOSFET、肖特基二极管、快恢复二极管、功率晶体管等。我们定期更新产品线，提供覆盖更完整的功率半导体方案。
